半导体行业研究报告半导体工业已经超过传统的钢铁工业、汽车工业，成为21世纪的高附加值、高科技产业。半导体是许多工业整机设备的核心，普遍应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要有四个组成部分：集成电路、光电子器材、分立器材和传感器；集成电路是半导体工业的核心，占到了80%以上。集成电路包括逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片和mpu等。集成电路在性能、集成度、速度等方面的快速发展是以半导体物理、半导体器件、半导体制造工艺的发展为基础的。

　　全球半导体的销售额在过去的十年中整体上是稳定上升的，除了 2009 年因为受到全球经济衰退的影响，半导体销售额出现下降以外，其余所有的年份都是在增长或基本持平。尤其是在 2010 年和 2017年，销售额同比增长均超过 20%。2010 年是受益于全球经济复苏影响，2017 年则是受益于应用场景的大范围扩张，如汽车、各类家电等日常用品，以及新科技如人工智能、虚拟现实、物联网等都需要用到半导体

　　2014年至今，全球半导体每季度的销售情况基本保持在800亿美元上下，全年大约3200亿美元以上。从 2016年 5 月开始全球半导体销售一直保持增长态势，2017年Q4半导体全球销售额达到1140亿美元，2017年全年销售额首度超过4000亿美元。

　　亚太地区增长最快，得益于中国市场扩张迅速。根据统计，过去的 10 年间亚太地区（除日本）销售额从 2008 年的 1241 亿美元增长到从 2017 年的 2489 亿美元，年复合增长率达到 7.2%，远高于全球 5.16%的增速。占比也从 50%提高到 60%。而亚太地区销售规模最大的国家就是中国，目前中国可以占到整个亚太市场的 60%以上！将中国从亚太分离可以看到全球半导体销售分布情况，中国半导体销售额最大， 中国半导体销售额最大，2017年中国半导体销售额达到 中国半导体销售额达到 1315 亿美元，已经 亿美元，已经接近全球的三分之一；其次是美国，接近全球的三分之一；其次是美国，达到 20%以上。2017 年全球销售额的大幅提升也正是依靠中国和美国市场销售额的大幅提升，两国销售额同比增速分别达到 两国销售额同比增速分别达到 22% 和 35%

　　随着我国经济的持续发展，我国半导体下游市场需求也一直保持着快速发展的势头。2008 年，我国半导体市场需求额仅为1039亿美元，占全球半导体市场需求规模的 38.3%，而到了2015年，我国半导体市场需求额就已经增长至1958亿美元，在全球半导体市场规模的占比份额超过了60%。与此同时，半导体进口额也快速增长，主要是进口集成电路产品快速增长。2017年，中国进口集成电路3770亿块，进口金额高达 2601 亿美元，出口额达到了669亿美元，但只是进口额的四分之一， 集成电路超过原油，成为第一大进口产品。集成电路领域存在着巨大的贸易逆差，这主要是由于我国对半导体的需求很大，但是国内半导体企业发展相对较晚，技术水平距离国外知名厂商也有较大差距。

　　半导体产业起源地为美国，美国迄今仍在IDM 模式（从设计、制造、封装测试以及投向消费市场一条龙全包）及垂直分工模式中的半导体产品设计环节占据绝对主导地位，而存储器、晶圆代工及封测等重资产、附加值相对低的环节陆续外迁。

　　由于半导体属于技术及资本高度密集型行业，只有下游终端需求换代等重大机遇来临时，新兴地区通过技术引进、劳动力成本优势才有机会实现超越，推动产业链迁移。

　　第一次半导体迁移：发生在大型计算机时代，存储器制造环节由美国向日本转移。日本凭借规模化生产技术占据成本和可靠性优势，成为DRAM （动态随机存取存储器）主要供应国。此次迁移对上游带动作用明显， 即便后期日本丧失存储器优势，迄今仍在上游原材料、设备领域占据领先地位。

　　第二次半导体迁移：发生在PC 时代，PC 对DRAM 的诉求由可靠性转变为低价，韩国凭借劳动力优势取代日本的地位，至今仍主导存储器市场。

　　与此同时，首创垂直分工模式，逐步形成IC（集成电路）设计、晶圆代工、封测联动的产业集群。随着全球移动产品盛行、迭代速度更快， 垂直分工模式以其更短的产品生命周期及更具竞争性的价格逐渐占据主导地位，长期引领全球圆晶代工、封测等环节。

　　当前为IOT（Internet of Things 物联网） 等下一轮终端需求换代酝酿期，为半导体产业崛起创造机遇，并提供技术积累的时间窗口。预计未来五年半导体市场仍将由智能手机硅含量增加主导，汽车电子、物联网等新兴领域为高增长亮点。

　　在手机领域，国产手机终端品牌话语权不断增大，持续推动电子产业向高端零部件拓展，对最为核心的芯片产业的带动作用正逐渐彰显。而IOT、汽车电子等新兴产品对制程要求不高，主要聚焦于成熟制程，半导体各环节厂商已具备相应能力，并与国际厂商同步布局。

　　基于此，判断半导体产业在国家政策资金重点扶持下，通过技术积累、及早布局，具备能力把握潜在需求换代机遇，成为半导体产业第三次迁移地。

　　中国是全球最大的半导体消费市场，半导体需求量全球占比由2000 年的7%攀升至2016 年的42%，成为全球半导体市场的增长引擎。然而，半导体产业发展与其庞大的市场需求并不匹配，IC 仍大程度依赖于进口。2016 年本土芯片自给率仅为25%，且预计未来三年自给率仍不到30%，国产IC 自给率仍有相当大的提升空间。

　　半导体产业属高度技术及资金密集型产业，需要国家层面在政策倾斜、资金补贴、技术转让、人才获取等多方位支持。为避免IC 产业过度依赖进口，中国政府已将半导体产业发展提升至国家战略高度，并针对设计、制造、封测各环节制定明确计划。

　　国家集成电路产业投资基金（大基金）首期募资规模达1387.2 亿元人民币，截至2017 年9 月已进行55 余笔投资，承诺投资额已达1003 亿元， 且二期募资正在酝酿中。同时由大基金撬动的地方集成电路产业投资基金（包括筹建中）达 5145 亿元，合计基金规模达6531 亿元人民币，引导中国半导体业产能建设及研发进程加快，生产资源加速集中最终实现竞争力提升。

　　半导体产业链分为核心产业链、支撑产业链。核心产业链包括半导体产品的设计、制造及封装测试。支撑产业链则包括为设计环节服务的EDA（电子设计自动化）工具及IP 核供应商、为制造封测环节服务的原材料及设备供应商。

　　半导体支撑产业链由欧美日本垄断，我国厂商与国际龙头技术及规模差距甚大。EDA 工具环节由美国绝对主导，IP 核由英美两国主导，企业在此领域涉足甚少。原材料由日本主导，企业在靶材、抛光液个别领域已达国际水平，但在硅片、光罩、光刻胶等核心领域仍有较大差距。设备环节仍主要由欧美、日本垄断，企业在MOCVD 等个别细分领域有所突破星空体育官网。

　　不同于传统产业微笑曲线;产品设计—制造—销售，半导体产业链中由IC 设计商同时负责IC 设计及营销服务，由晶圆代工厂负责晶圆工艺研发及制造，因此微笑曲线;IC 设计—晶圆代工—封测—IC 设计。

　　经测算，IC 设计、晶圆代工、封测环节全球前十大厂商平均ROE 水平与微笑曲线路径基本吻合。微笑曲线底部封测环节ROE 最低为12%，曲线中部晶圆代工环节ROE 居中为15%，曲线顶部IC 设计环节ROE 最高达21%。

　　我国已率先突破微笑曲线底部封测环节，伴随着封测业盈利质量提升拐点来临。判断，半导体崛起将沿着微笑曲线由底部向两端发展，封测之后的下一突破口便是晶圆代工。IC 制造为当前国家政策重点支持环节， 在一期大基金承诺投资额占比高达63%。期待我国晶圆代工企业在获取资本支持后，加快缩小与国际领先者的技术差距，依托本土高速成长的IC 设计需求，尽快实现盈利质量提升。

　　热点产品带动了中国市场的增长。汽车产品增长率最高，达14.5%，智能手机、家用电器稳步增长，PC行业继续衰减，此外物联网市场增长比较快。

　　供需总量上看，国内集成电路市场主要依赖进口局面依旧，去年一年进口芯片2270亿美元，达到第二名（石油1165亿）、第三名（铁矿砂577亿）、第四名（汽车及底盘446亿）的总和。

　　从增长率看，汽车电子、工业控制领域继续引领市场增长，汽车产量增加14.5%，但是汽车电子市场增加34.4%，工业控制领域增加21%，其他网络通信、消费电子增加10%左右。

　　从产品结构看，嵌入式产品与存储器市场需求旺盛。智能硬件成为新兴市场热点，2016年中国智能硬件市场规模仍保持强劲的增长态势，达到1039.8亿元，同比增长141.6%。产品技术性能的不断完善，以及智能硬件功能进一步细分以满足用户不同的潜在需求是增长的源动力。

　　自2000年以来，我国出台了多项政策支持半导体行业发展。2011年，我国在2000年《鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》的基础上，出台进一步鼓励政策，从财税、投融资、研发、进出口、人才、知识产权、进出口、市场等多角度给予政策支持。2014 年，我国出台《国家集成电路产业发展推进纲要》，系统的阐述了对集成电路产业的支持政策及目标。 尤其是2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以后，行业发展明显提到了一个新的高度。各地政府也积极响应，制订了地方性的《发展推进纲要》。

　　国内半导体设备企业起步较晚，市场集中度也很低。我国高端晶圆制造设备基本依赖进口，国产化率较低，国产半导体设备急需突破。相比国外超过30年的发展经验，国内的半导体设备行业主要是在国家02专项的扶持下发展起来。本土设备供应商在先进制造工艺上和国外还存在一定技术差距，品牌影响力有限。但在次级设备或泛半导体设备的技术上取得了一定突破，目前已经可以应用于次级工艺水平的半导体加工，或光伏、LCD等泛半导体行业。

　　为推动我国半导体设备制造的技术升级，国家出台了科技重大专项之极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项（02专项），半导体设备走上了国产化道路。在02专项、政策与大基金的支持下，国内半导体行业在技术积累和人才储备方面都在快速增长着，为国产设备带来更大机会。国产优势装备企业的崛起完善了国内半导体产业链，也为其他半导体设备的国产化打下了良好基础。国家政策的强力支持与广阔的市场空间，将使国产设备迎来发展的黄金时期。

　　一是晶圆厂投资热潮带动半导体设备行业高增长。随着下游半导体行业景气度的持续提升以及晶圆制程工艺的不断升级，全球迎来半导体晶圆厂的投资热潮。2018年中国的设备销售增长率将最高，为49.3%，达到113亿美元。2018年，韩国、中国和地区预计将保持前三的市场排名，韩国将以169亿美元保持在榜首。预计中国未来将成为世界第二大市场，而地区的设备销售额将接近113亿美元。

　　二受益建厂潮,国内产线亿美元刻蚀设备需求。根据长江存储和华力微电子产线设备采购情况,国产刻蚀设备占有率不到20%,国产化率极低。制程不断推进及设计结构日益复杂是推动刻蚀设备市场的核心逻辑。新的制造工艺,如多重图形、基于金属硬掩模的双大马士革工艺、浅沟道刻蚀、高深宽比和高选择比刻蚀等技术不断对刻蚀设备提出挑战。结构上,DRAM和Logic/Foundry小型化、3DNAND堆叠层数不断增多、FinFET成为主流等结构创新,使得刻蚀难度和刻蚀步骤不断增加,拉动刻蚀设备需求和发展。

　　碳化硅为第三代半导体的主要代表之一，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎，为众多产业发展打开了全新的应用可能性，被行业寄予厚望。

　　从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，但目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。

　　在全球市场中，单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等，外延片企业主要有DowCorning、II-VI、Norstel、Cree、罗姆、三菱电机、Infineon等，器件方面，全球大部分市场份额被Infineon、Cree、罗姆、意法半导体等少数企业瓜分。

　　由于碳化硅产业环节如芯片性能与材料、结构设计、制造工艺之间的关联性较强，不少企业仍选择采用IDM模式，如罗姆和Cree均覆盖了碳化硅衬底、外延片、器件、模组全产业链环节，其中Cree占据衬底市场约40%份额、器件市场约23%份额。

　　事实上，目前整个碳化硅产业尚未进入成熟期，但国际厂商已实现多个环节规模量产技术瓶颈的突破，并已摩拳擦掌、即将掀起一场大战，而国内碳化硅产业仍处于起步阶段，与国际水平仍存在差距。

　　如今SiC器件在国内光伏逆变器、车载充电器、充电桩等领域虽已开始应用，但国内市场上大部分碳化硅功率器件依赖进口，主要为Cree、Infineon、罗姆等占有。不过，近年来国内已初步建立起相对完整的碳化硅产业链体系，包括有IDM厂商中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子等，单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体等，外延片企业天域半导体、瀚天天成等，部分厂商已取得阶段性进展。

　　单晶衬底方面，目前国内可实现4英寸衬底的商业化生产，山东天岳、天科合达、同光晶体均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。

　　外延片方面，国内瀚天天成和天域半导体均可供应4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。

　　器件方面，国内600-3300 V SiC SBD已开始批量应用，有企业研发出1200V/50A SiC MOSFET；泰科天润已建成国内第一条碳化硅器件生产线V的电压范围；中车时代电气的6英寸碳化硅生产线月首批芯片试制成功。

　　模块方面，国内已开发出1200V/50-400A全SiC功率模块、600-1200V/100-600A混合SiC功率模块；今年9月18日，厦门芯光润泽国内首条碳化硅 IPM产线正式投产。

　　总体而言，国内已初步形成了涵盖各环节的碳化硅产业链，在央地政府政策的支持以及市场需求的驱动下，国内企业正在努力跟跑赶超。

　　2014 年全球 Si 功率器件市场规模约 150 亿美元， 其中 SiC 功率器件为 1.2 亿美元，不到 Si 功率器件的 1%。 SiC 器件 2014 年总市场规模约为 1.33 亿美元，至 2020 年市场规模可达 4.36 亿美元，年复合增长率为 22%。

　　预测，至 2025 年：碳化硅 MOSFET 市场规模将会超越 3 亿美元，成为仅次于碳化硅肖特基二极体的第二大碳化硅离散功率元件；SiC FETs 与 BJTs 产品获得市场信赖，但多应用于专业或小众产品，规模远低于 SiC MOSFET 市场；结合 SiC 二极管与 Si IGBT 所形成的混合式 SiC 功率模组， 2015年该产品市场销售额约为 3800 万美元，预计 2025 年销售额将会突破 10 亿美元。

　　（1）昂贵的SiC单晶材料。由于Cree公司技术性垄断，一片高质量的4英寸SiC单晶片的售价约5000美元，然而相应的4英寸Si片售价仅为7美元。如此昂贵的SiC单晶片已经严重阻碍了SiC器件的发展。

　　（2）Cree公司的技术垄断。由于Cree公司在世界各国申请了许多专利，严重制约了其他公司在SiC领域的发展。

　　（1）SiC单晶材料虽然在导致SiC功率半导体性能和可靠性下降的致命缺陷微管密度降低和消除方面近年来取得很大进展，但位错缺陷等其他缺陷对元件特性造成的影响仍未解决。

　　（2）SiC器件可靠性问题。SiC MOSFET器件目前存在两个主要技术难点没有完全突破：低反型层沟道迁移率和高温、高电场下栅氧可靠性。与Si MOSFET相比，体现不出SiC MOSFET的优势。

　　电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。晶闸管发展已有近六十年历史，技术成熟也得到广泛应用，可以借鉴它的历史来预测碳化硅功率器件。想当初IGBT兴起时，与晶闸管参数指标相差极大，晶闸管已能做到2-3KV、2-3KA时，IGBT仅仅是电流过百、电压过千。在短短的二十几年间，IGBT从第一代迅速发展到第六代，电压和电流已与晶闸管并驾齐驱，显示出IGBT优越性能。

　　晶闸管能干的IGBT全能干、IGBT能干的晶闸管干不了，在相当大的一片应用领域里IGBT因其不可替代的优越性能独居鳌头。但是晶闸管仍以其比较高的性价比守住了自己的阵地。碳化硅材料技术的进展已使部分碳化硅功率器件用于实际成为可能。但还有许多关键的技术问题需要解决。晶闸管电流从小到大、电压从低到高经历了数十年的风风雨雨，IGBT也有这样的一个不凡的过程。可见SiC功率器件的发展也会有一个漫长的过程。

　　国家集成电路产业基金，简称大基金，2014年首期募资1387亿元，二期资金正在募资，预计规模1500-2000亿元。截止目前，累计有效投资项目约为70个，涉及上市公司23家(包括港股公司和间接投资公司)，未公开投资公司为29家以及10项产业基金。大基金目前的投资已经完全覆盖了集成电路制造全产业链，截止2018年9月，制造、设计、封测、设备、材料类占比分别为65%、17%、10%、4%和4%。按支持主体划分，长江存储、中芯国际、华力微电子、三安光电、紫光展锐分别占比18%、16%、11%、9%和4%。

　　如上表五大基金投资的部分重点企业来看，大基金一期投资策略为重点投资每个产业链环节中的头部企业，结合投资代表新工艺和技术方向的特色企业。目前在制造环节比重最大，通过布局中芯国际、长江存储、华宏半导体等，近年来大幅提升了我国先进工艺制造能力以及加快了存储芯片规模化量产，重点布局DRAM和新型存储器。在设计领域，扩大了对国内龙头企业的投资覆盖，如紫光集团、汇顶科技等，同时对接重大专项成果，在CPU、FPGA等高端芯片领域展开投资。封装产业方面，重点支持长电科技、通富微电等项目，推动企业实现了规模扩展和竞争力提升以及差异化发展，提升了先进封测产能比重。

　　相比之下，大基金在装备和材料环节的投资规模和力度要小很多，目前最大规模的投资是对北方华创28nm以下IC设备的产业化以及5/7纳米关键IC装备的研发，在推进光刻、刻蚀、离子注入等核心装备以及大硅片、光刻胶等关键材料商仍需加强投资。同时，大基金2018年9月入股国产EDA领导厂商华大九天，成为第四股东，着手布局EDA工具产业。最后，大基金也敏锐的捕捉到技术发展的新领域，关注到有可能超越摩尔定律的新材料新工艺的投资，如将MEMS传感器、化合物半导体等纳入投资领域，如对耐威科技MEMS芯片技术的大规模投资，加磅对三安光电化合物半导体的投资规模，承诺未来400亿的并购资金落地。

　　作为市场化的投资机构，可以从产业链的各个环节进行布局投资，市场容量、投资规模、产品标准化、扩张边际成本都是投资考虑的因素，半导体行业下游重资产的芯片制造和封装所需资金量在百亿、千亿级别，则更适合国有资本和产业资本进行投资。半导体市场最大的蛋糕——CPU和存储，同样都是重投入领域，适合国家大资金或地方政府等层面的战略布局；对于VC机构，从国外VC发展历史来看，硅谷的崛起正是依靠半导体产业的崛起，而半导体公司的起步很大的程度上依赖于VC，无论是在中国还是全世界，IC设计行业都是一个有高技术门槛和高利润回报的行业，是资本理应追逐的风口和投资主战场，建议着重布局轻资产、重研发领域，比如芯片设计，设计工具（EDA）、生产设备及材料的研发等。

　　细分市场选择上，如果市场过宽，比如通用芯片CPU，由于所需投资太大，要整个生态链完善后才能实现大体量销售，难以进行单点突破。如果市场过窄，只是针对某个客户进行芯片设计，没有下一代产品的考虑，由于市场规模有限，难以产生没有爆发点，也不适合VC去投资，如何选择避开国家巨头的正面市场，有以下几种参考选择：

　　由于涉及到军工或者国家、信息、个人安全，在现阶段提倡自主可控的国家战略背景下，可以预见国外厂商将会逐渐淡出，而且该领域技术门槛相比民用、通用市场要低很多，且对成本价格不敏感，比如在身份证、等细分领域已经有国内厂商处于垄断地位了，类似的投资机会目前仍有许多，目前在上述领域国企和研究所虽然抢占了大部分的市场，但是从体制内实际运行效率、技术更新来看，民营企业仍然有不错的市场机会。

　　其特征是推出的产品迅速降低某类电子产品的制造门槛使得这类产品迅速流行，高集成度+低价+定制化是这类产品的核心要诀，迅速占领大厂没有切入的最低端市场。采用类似战略成功的模式还有许多，比如海思半导体刚刚进入机顶盒市场的时候，市场是被欧美大公司控制，经过几年间激进地努力，先由商业模式创新（为客户完成整个方案），再到技术创新（快速产品迭代），最终蚕食了国外厂商的市场，这也是典型的华为模式。国内A股上市公司的展讯以及汇顶科技同样也是采取如此策略打败竞争对手成为细分市场的龙头。

　　目前国内芯片设计产业发展处于初步阶段，某些细分领域呈现市场集中度低、产品低端、企业产值低的情况，比如在模拟IC、传感器等领域，客观上需要进行适当的产业整合，也隐藏了巨大的行业并购整合机会，VC机构可以主动进行战略性的资本、资源的配置，打造高绩效产业运营平台，通过并购、分拆、出售的方式，夯实投资标的主营业务，拓展新的产品线，不断增强公司核心竞争力，并集聚规模，从而创造更大价值。

　　发展半导体行业已被设定为举国战略，从国家层面到地方政府和行业巨头，中小投资机构，再到二级市场，都纷纷以投资行动参与着这一场大国角力的白刃战，所有的投资机构几乎都认可这是中国半导体投资最好的年代，在热闹和浮华背后我们看到市场上一夜之间，一支支伪硬件开发团队，一个个漫天估值的项目，一家家半路出道的投资机构，都纷纷破土而出，从近一两年来看国内半导体行业处于资金过剩的状态，由于太多机构关注这个行业，而半导体本身是技术门槛相当高的行业，好的项目是非常稀缺，也就导致了项目估值水涨船高。同时，投资资金过多可能也会造成资源分散，甚至一个骨干公司可能会被拆掉，比如我们看到现在半导体行业很多CTO有非常强烈的意愿出走去独立创业。

　　根据投资尽调实务操作和产业观察，结合对细分市场分析，看好5G、工业控制和汽车/自动驾驶等应用市场所带来的模拟IC、传感器MEMS、MCU以及功率半导体等领域的投资机会，建议重点关注：

　　根据表三的统计，国内2017年模拟芯片市场空间 2000 亿人民币，但市场基本被海外以 TI、ADI 为代表的企业垄断，国内的圣邦微营收 5.32 亿元，市占率不到 1%。目前模拟IC行业份额相对分散，细分赛道仍存国产突破机会。与其他半导体板块不同，模拟品类繁多，仅德州仪器一家企业，目前在售产品就达上万款，下游应用的多元化导致细分赛道极多。整体来看，不存在单一企业在所有模拟IC细分市场占优的情况，细分赛道仍存在大量国产突破机会。

　　传感器作为最底层的感知设备，应用场景繁杂，拥有海量市场空间。根据 Yole developpement 的预测，2016-2020 年 MEMS 传感器市场将以 13%年复合成长率增长，2020 年 MEMS 传感器市场将达到 300 亿美元。而MEMS应用场景细分、碎片化，而这恰恰给国内相关公司提供了巨大的市场机会，比如敏芯微的麦克风产品已经占据了国内智能音箱五成的市场份额。在3D光学方面，奥比中光已经与大厂在合作，由于传感器行业的品种多达上万种，靠爆款单品难以做大做强，即使如敏芯微在麦克风领域的强势地位，除了再进一步走高端外，也在积极拓展新的产品线和应用场景。同时为应对传感器小型化、集成化、智能化的发展趋势，都为行业内的并购、整合提供了好的投资机会。

　　作为智能控制的核心，被广泛地应用到消费和工业电子产品中。小到体温计、无线充电器和智能手环，大到数控机床、机器人和汽车，MCU的细分应用领域广泛。据统计，2017年全球MCU市场规模约为170亿美元，行业应用广泛。MCU在中国市场增速高于全球市场平均增速，国内MCU市场未来五年复合增长率达11.7%，至2020年市场空间将突破500亿人民币。总体看国产MCU，不论是市场份额还是技术先进性，都无法和国外企业相比。目前 MCU国外八大厂商（瑞萨、恩智浦、意法等）占据约90%份额。这意味着，国内MCU应用领域多集中在低端电子产品（消费级、仪表等），中高端电子产品（工业、汽车等）市场仍被国外占据。在我国MCU企业中，生产32位通用型MCU的企业屈指可数，除了兆易创新、灵动微电子之外，其他企业，比如华大半导体、航顺和致象尔微电子等，只有若干种通用MCU芯片。现有的MCU市场，随着各大原厂的不断扩大收购合并与日新月异的创新，国内厂商已明显感受到威胁，行业内也有非常强烈的并购整合的预期。

　　受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加，MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价，带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币，其率分立器件市场规模为1,874亿元人民币，较2017年同比成长14.7%；电源管理IC市场规模为717亿元人民币，较2017年同比增长8%。目前功率半导体的国内市场主要被外资垄断，本土企业市场占比仅约为10%。

　　功率半导体是现阶段半导体领域非常好的突破口，因为其应用范围极其广泛，只要用电的地方，就会用到功率半导体，包括电网、电源，市场空间很大，而且细分行业很多，行业竞争格局相对分散，除了英飞凌与安森美外，其余厂商如中科君芯、西安芯派等，嘉兴斯达份额差距不大，这给了国内公司生存空间。

　　半导体行业可能是个费力慢热的投资领域，它对行业与技术的专业判断力要求很高，但投资收益速度不够快，投资一个项目，最少也要等5年才能见到成效，甚至要10年以后。成功的半导体投资，必定深耕半导体产业，以专业领域的长期实践经验和全球视野为基础去进行项目发掘和价值判断，以布局产业链的长期思维去构建产融结合的支持体系，假以时日，必得厚报。